第一章緒論
１．１納米晶體材料
１．１．１概述
自１９８４年原聯(lián)邦德國(guó)撒爾蘭大學(xué)的Ｈ．Ｇｌｅｉｔｅｒ*先成功研制出純鐵的納 米粉末以來(lái)，納米材料逐漸成為國(guó)內(nèi)外材料學(xué)領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)，其相應(yīng)發(fā) 展起來(lái)的納米技術(shù)被認(rèn)為是２１世紀(jì)較有前途的科研領(lǐng)域。 所謂納米晶體材料，就是晶粒尺寸為納米量*（１～１００ｎｍ）或出現(xiàn)納 米效應(yīng)的多晶超細(xì)材料【ｌ】。由于其內(nèi)部的粒子比常規(guī)粗晶材料小的多，故晶 界所占比例大大增加。據(jù)Ｈ．Ｇｌｅｉｔｅｒ、Ｎ．Ｈａｓｅｎ等人估算，若將納米結(jié)構(gòu)材料 中的原子看作球體或立方體，當(dāng)晶體尺寸為１００ｎｍ時(shí)，晶界所占比例約為 ３％，而當(dāng)晶粒尺寸減小到５ｎｍ時(shí)晶界所占比例高達(dá)５０％。圖１—１為納米晶 體材料的二維硬球模型¨Ｊ。通用拋丸機(jī)噴丸表面納米化對(duì)策由青島鑄造機(jī)械廠整理

圖１－１納米晶體材料二維硬球模型
由圖可以看出，納米晶體材料由異類的兩種組元構(gòu)成，包括晶粒組元和晶界組元，其中晶粒組元的原子位于晶粒內(nèi)的格點(diǎn)｝：，晶界組元的原子 位于晶粒之間的界面上。這種固有的異類組元的結(jié)構(gòu)是納米晶體材料的特 性不同于玻璃、膠體等材料的關(guān)鍵所在Ｉ。３１。 廣義的，納米材料指在三維空間中至少有一維處于納米尺度范圍或由 它們作為基體單元構(gòu)成的材料。納米材料按維數(shù)可分為三類：（１）零維， 指空間三維尺寸均在納米尺度，如納米尺度顆粒、原子簇等（２）一維，指 在空間有二維處于納米尺度如納米絲、納米棒以及納米管等（３）二維，指 在三維空間中有一維處于納米尺度如超薄膜、多層膜等。 納米晶體材料由于具有極細(xì)的晶粒，以及大量處于晶界和顆粒內(nèi)的中 心原子具有的量子尺寸效應(yīng)、小尺寸效應(yīng)、表面效應(yīng)和宏觀量子隧道效應(yīng) 等，納米晶體材料與同組成的微米晶體材料相比在催化、光學(xué)、力學(xué)、磁 性等方面表現(xiàn)出許多奇特的性能，因而成為材料科學(xué)和凝固物理學(xué)領(lǐng)域中 的研究熱點(diǎn)。 １９６５年諾貝爾物理獎(jiǎng)得主Ｒ．ＥＦｅｙｎｍａｎ曾經(jīng)說(shuō)過(guò)“如果有～天按人的意 志安排一個(gè)個(gè)原子和分子將會(huì)產(chǎn)生怎樣的奇跡”，納米科學(xué)技術(shù)的誕生將使 這個(gè)美好的設(shè)想成為現(xiàn)實(shí)。
１．１．２納米晶體材料的微觀結(jié)構(gòu)和特征
正如前面所說(shuō)，納米晶體材料固有的異類組元的結(jié)構(gòu)是納米材料具有 特殊性能的關(guān)鍵所在，因此，了解其微觀結(jié)構(gòu)特征對(duì)研究納米晶體材料的 性能有重要的意義。其重要的微觀結(jié)構(gòu)特征包括（１）晶粒尺寸、分布和形 念（２）晶界的性質(zhì)和形態(tài)以及相界、面界（３）晶粒內(nèi)部缺陷的完整性（４） 通過(guò)晶粒和晶界的組成分布（５）由制備過(guò)程造成的殘髯陷阱種類的辨認(rèn)｛５ｌ。 探測(cè)納米晶體材料結(jié)構(gòu)的試驗(yàn)技術(shù)有多種，其中贏接的技術(shù)包括透射 電子顯微術(shù)（ＴＥＭ）、掃描隧道顯微術(shù)（ＳＴＭ），場(chǎng)離子顯微術(shù)，間接的技 術(shù)包括擴(kuò)展的Ｘ射線吸收粗細(xì)結(jié)構(gòu)法（ＥＸＡＦＳ）、核磁共振、順磁共振、 喇曼光譜、穆斯堡爾光譜、正電子淹沒(méi)光譜以及介于直接和間接之間的電 子、Ｘ射線、中子衍射等技術(shù)。 高分辨的ＴＥＭ研究納米的Ｐｂ，Ｆｅ—ｌ ７Ｃｒ、Ｆｅ．Ｍｏ．Ｓｉ—Ｂ和Ｔｔ—Ａ１等的結(jié)果表明納米晶體材料是由晶粒邊界分離而成的不同晶體取向的小晶體 組成。Ｗｕｎｄｅｒｌｉｃｈ等人認(rèn)為納米Ｐｂ的晶粒邊界與常規(guī)Ｐｂ有所不同，納米 Ｐｂ晶粒邊界厚度為Ｏ，４～Ｏ．６肋１，而常規(guī)晶粒為ｌｎｍ，他們認(rèn)為這是由納米 晶體材料晶粒邊界的高能態(tài)產(chǎn)生的。他們還認(rèn)為在能量方面，晶粒邊界的 曲度具有不同的效果，因而納米晶體晶粒邊界結(jié)構(gòu)的有序性不可能減少面 問(wèn)能量。喇曼光譜研究納米晶體Ｔｉ０２和高分辨的ＴＥＭ結(jié)合圖象模擬研究 納米ｐｂ的結(jié)果表明，納米晶體材科的邊界結(jié)構(gòu)與常規(guī)多晶材料無(wú)區(qū)別。 Ｓｅｉｌｇｅｌ等人的碰用喇曼光譜和小角中子衍射也得出納米晶體材料的晶粒邊 界與常規(guī)材料的邊界是一樣的。Ｅａｓｔｍａｎ等人對(duì)納米材料的界面進(jìn)行了Ｘ一 射線衍射和ＥＸＡＦＳ的研究，在仔細(xì)分析了多種納米材料實(shí)驗(yàn)結(jié)果的基礎(chǔ) 上，認(rèn)為納米晶體材料界面原子排列是有序的或局部有序的。Ｉｓｈｉｄａ等人用 ＨＲＥＭ在納米Ｐｂ的界面處觀察到了局域有序化的結(jié)構(gòu)，并看到了孿晶、層 錯(cuò)和位錯(cuò)亞結(jié)構(gòu)等只能在有序晶體中才出現(xiàn)的缺陷，據(jù)此，他們認(rèn)為納米 材料的界面是擴(kuò)展有序的。Ｌｕｐｏ等根據(jù)分子動(dòng)力學(xué)和靜力學(xué)的計(jì)算結(jié)果認(rèn) 為納米材料的界面有序是有條件的，主要取決于界面的原子間距和顆粒大 小，當(dāng)ｒ＜ｄ／２時(shí)，界面為有序結(jié)構(gòu)，反之，界面為無(wú)序結(jié)構(gòu)，其中，ｒ?yàn)榻?面原子之間的距離，ｄ為粒徑。 當(dāng)晶粒尺寸減小到納米量*時(shí)，其晶格結(jié)構(gòu)與粗晶的晶格結(jié)構(gòu)有很大 的差異，納米尺寸的晶粒是以晶格畸變?yōu)樘卣鞯摹Ｔ趧×宜苄宰冃畏ㄖ苽?的納米單質(zhì)銅中，點(diǎn)陣參數(shù)小于標(biāo)準(zhǔn)的點(diǎn)陣參數(shù)，表現(xiàn)為晶格收縮。在納 米晶體Ｎｉ３Ｐ和Ｆｅ２Ｂ化合物（ｂｃｃ結(jié)構(gòu)）中發(fā)現(xiàn)，ａ軸相對(duì)丁單晶體的標(biāo)準(zhǔn) 值有所伸長(zhǎng)，而ｃ軸則稍稍縮短，并且隨著晶粒尺寸的減小，ａ值增大，ｃ 值減小。此外，納米晶體Ｙ２０３的晶格表現(xiàn)為單斜高壓相結(jié)構(gòu)，具有ｂｃｃ結(jié) 構(gòu)的Ｃｒ、Ｍｏ和ｗ超細(xì)顆粒中會(huì)形成Ａ１５結(jié)構(gòu)等等。上述這種點(diǎn)陣常數(shù)偏 離平衡值的現(xiàn)象表明，納米尺寸晶粒發(fā)生了嚴(yán)重的晶格畸變，單胞的體積 有所變化。但是，納米晶體材料中的晶格畸變程度與樣品的制備過(guò)程及熱 力學(xué)過(guò)程等有著密切的關(guān)系，不同種類的納米材料表現(xiàn)出的晶格畸變效應(yīng) 是不同的，但總體的趨勢(shì)是：ｂｃｃ和ｆｃｃ單質(zhì)金屬納米晶體中的晶格畸變較 小，而半導(dǎo)體及化合物納米晶體中的晶格畸變較大
１．１．３納米晶體材料的特性
由于納米晶體材料特殊的結(jié)構(gòu)決定了其在磁、光、電、機(jī)械、物理等 方面具有特殊的性能，主要表現(xiàn)為高的強(qiáng)度和硬度、超塑性、超導(dǎo)性等。
１．１．３．１力學(xué)性能
自８０年代納米材料問(wèn)世以來(lái)，人們?cè)谶M(jìn)行力學(xué)性能研究的時(shí)候，較關(guān) 注的是納米金屬屈服強(qiáng)度與晶粒尺寸的關(guān)系是否仍然符合著名的Ｈａｌｌ— Ｐｅｔｃｈ關(guān)系。即：Ｇ＝ｏｏ＋ｋｄ““（式中。為０．２％的屈服強(qiáng)度，ｄ為晶粒尺寸， ｏｏ為移動(dòng)單個(gè)位錯(cuò)的晶格摩擦力，ｋ稱為Ｈ－Ｐ強(qiáng)度常數(shù)）。因?yàn)槿绻{米材 料仍然符合Ｈ．Ｐ關(guān)系，那么當(dāng)晶粒尺寸從】０ｐｒｏ減少至】０ｎｍ的時(shí)候，材料 的屈服強(qiáng)度將提高３０倍以上。但由于符合屈服強(qiáng)度測(cè)試條件的納米材料試 樣制備十分困難，關(guān)于納米材料Ｈ．Ｐ關(guān)系的研究大多改為測(cè)試其晟微硬度 與晶粒尺寸的關(guān)系是否符合Ｈ．Ｐ關(guān)系。同時(shí)，１９８８年以后有關(guān)納米材料力 學(xué)性能的其它研究陸續(xù)展開，下面對(duì)多年來(lái)有關(guān)納米金屬和合金的彈性、 硬度與Ｈ—Ｐ關(guān)系等力學(xué)性能進(jìn)行初步的介紹。
（一）彈性模量
１ ９８８年以來(lái)Ｇｌｅｉｔｅｒ等科學(xué)家先后用拉伸試驗(yàn)和Ｎａｎｏｉｄｅｎｔａｔｉｏｎ硬度計(jì) 測(cè)應(yīng)力應(yīng)變曲線法，聲速測(cè)量，激光聲波以及小型圓片彎曲測(cè)量法等方法 對(duì)納米金屬的彈性模量進(jìn)行了測(cè)定。Ｋｒｉｔｉｃ等和Ｂａｃｃａｃｃｉｍ等分別于１９８７ 和】９９３年提出理論模型進(jìn)行了解釋。】９９７年Ｗｅｅｒｔｍａｎ研究小組以及秦小 英等對(duì)納米金屬的彈性模量與孔隙率以及晶界界面的關(guān)系進(jìn)行了研究，總 結(jié)如下：納米金屬的彈性模量隨孔隙率的降低而快速增大，對(duì)于孔隙率接近 ０的納米金屬，隨著晶粒尺寸的降低，晶界和三叉晶界等本征固有結(jié)構(gòu)的影 響使彈性模量略有降*ＩＪ“”Ｊ。
（二）硬度與Ｈａｌｌ—Ｐｅｔｃｈ關(guān)系…１ 目前的研究表明，納米金屬的顯微硬度比多晶粗晶金屬高２～７倍， 但其顯微硬度與晶粒尺寸的關(guān)系較為復(fù)雜，大致可分為三種： ①正的Ｈ—Ｐ關(guān)系（Ｋ＞Ｏ），即與常規(guī)粗晶材料遵守一樣的Ｈ．Ｐ關(guān)系；② 反的Ｈ．Ｐ關(guān)系（Ｋ＜０）；③先正后反的Ｈ—Ｐ關(guān)系（Ｋ由正變負(fù)）。Ｍｉｅｍａｎ、 吳希俊、Ｆｏｕｇｅｒｅ等人的大量研究表明納米金屬具有高硬度的性能，其硬度隨納米金屬孔隙率的降低或測(cè)試溫度的降低而提高：同時(shí)，隨著晶粒尺寸 的減小，納米金屬的硬度與ｄ¨２的關(guān)系不一定符合Ｈ—Ｐ關(guān)系【１８】。
（三）超塑性 有些材料在特定的條件下拉伸可以獲得非常大的均勻塑性延伸而不發(fā) 生斷裂，這種特性叫做超塑性。研究者通過(guò)許多實(shí)驗(yàn)結(jié)果認(rèn)為，超塑性是 由于晶界滑移所造成的，位錯(cuò)滑移模型不起作用或很少起作用。根據(jù)晶界 滑移的理論模型，超塑性材料的晶粒必須細(xì)小，如果晶粒尺寸降到納米量 *的話，還有可能在常溫下實(shí)現(xiàn)超塑性。但是，可能因?yàn)樵诩{米樣品的制 備過(guò)程中，引入了如微空隙、界面弱連接、氣體污染等缺陷與雜質(zhì)，至今 為止，還沒(méi)有得到納米材料具有室溫超塑性的實(shí)例。但是，盧柯等利用電 解沉積技術(shù)制備出晶粒尺寸為３０納米的全致密銅塊狀樣品，在室溫下軋制 竟然獲得了高達(dá)５１００％的延伸率，并且在這種超塑延伸過(guò)程中，樣品沒(méi)有 出現(xiàn)明顯的加工硬化現(xiàn)象，這說(shuō)明，通過(guò)控制制備工藝獲得高質(zhì)量的納米 材料樣品，有可能實(shí)現(xiàn)其室溫超塑性，這種工藝目前正在探索中Ｉ舊。”。
１１．３＿２擴(kuò)散和燒結(jié)性能
納米晶體材料的晶粒邊界含有大量的原子，無(wú)數(shù)的界面可以提供高密度 的短程環(huán)形擴(kuò)散，因此與體相材料相比，他們表現(xiàn)為高擴(kuò)散性。在納米Ｃｕ 中觀察到的擴(kuò)散比晶格擴(kuò)散高】４～２０個(gè)量*，比晶粒邊界的擴(kuò)散高２～４ 個(gè)量*。大量的研究結(jié)果表明晶粒邊界的擴(kuò)散與氫的濃度有關(guān)，納米晶體 材料中自身的擴(kuò)散和雜質(zhì)的擴(kuò)散、氣孔的存在有強(qiáng)烈的依賴關(guān)系【２２，”】。納 米材料的高擴(kuò)散性對(duì)材料的機(jī)械性能如超高塑性、蠕變以及低溫在納米晶 體中摻雜其它元素等方面具有非常重要的影響。 高的擴(kuò)散性即反應(yīng)活性可增加固體溶解度的限制，使其在一定的溫度 下，形成金屬間相，增加納米粉末的燒結(jié)性。另外，納米晶體材料的合成 技術(shù)給合金的制備提供了有效的方法。納米晶體材料高的擴(kuò)散性導(dǎo)致沿著 晶粒邊界的擴(kuò)散，使金屬在相對(duì)低的溫度形成穩(wěn)定的或亞穩(wěn)定的合金相， 如在１２００ｃ時(shí)可形成Ｐｂ３Ｂｉ金屬化合物，此溫度比正常觀察的溫度低很多。 高擴(kuò)散性的另一個(gè)重要結(jié)果為在低于常規(guī)多晶粉末的溫度下可焙燒納米粉 末，如在４００～６００Ｋ溫度下焙燒時(shí)不需要常規(guī)制備時(shí)必須添加的聚乙烯醇、 擠壓等方式即可得到１２ｎｍ的Ｔｉ０２，且性能優(yōu)于體相Ｔｉ０２。與常規(guī)材料相比，焙燒后的納米材料含有非常少的小空隙１５，２４，２５】。
１．１＿３．３納米晶體材料的電學(xué)性質(zhì)
由于納米晶粒邊界原子體積的增加，因此納米材料的電阻要高于常規(guī)材 料。盡管預(yù)計(jì)納米材料中也有負(fù)的電阻溫度系數(shù)，但未觀察到【２“。較近研 究納米氧化物ＬａＦｅ０３、ＬａＣ００３等發(fā)現(xiàn)盡管電導(dǎo)很小，但納米材料的電導(dǎo)溫 度益線的斜率比體相材料的要大，改變化合物中具有電導(dǎo)的組分就可使電 導(dǎo)發(fā)生數(shù)量*的改變。 另外，某些納米材料置于磁場(chǎng)中其電阻下降可達(dá)５０％～８０％，而常規(guī) 材料僅為ｌ％～２％，此現(xiàn)象稱為巨磁阻現(xiàn)象，這種材料稱為巨磁阻材料【２”。
１．１．３．４納米晶體材料的光學(xué)性質(zhì)
由于納米材料的晶粒尺寸遠(yuǎn)小于紅外線及雷達(dá)的波長(zhǎng)，因此這兩種波 在納米材料中的透射率比常規(guī)材料要大的多。因此大大減小了波的反射率， 同時(shí)納米材料的比表面積比常規(guī)材料大３－４個(gè)數(shù)量*，對(duì)紅外線及雷達(dá)波長(zhǎng) 的吸收率很大，這也降低了波的反射率，起到了紅外隱身作用。另外，納 米晶體材料還具備常規(guī)材料所不具備的寬頻帶強(qiáng)吸收性、非線形光學(xué)效應(yīng)、 光伏效應(yīng)以及在磁場(chǎng)作用下的發(fā)光效應(yīng)等特殊的性能，這使納米材料成為 光學(xué)領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)１５，２８，２９１。
１．１．３．５納米晶體材料的催化性能
因?yàn)榧{米材料的晶粒尺寸小，比表面積大，表面鍵態(tài)和電子態(tài)與內(nèi)部不 同，表面原子配位不全使表面的活性增加，這使它具備了作為催化劑的基 本條件。Ｂａｃｋ等人的研究結(jié)果表明納米Ｔｉ０２的化學(xué)活性明顯高于常規(guī)法制 得的Ｔｉ０２，鐘子宜等人研究納米鈣鈦型復(fù)合氧化物Ｌａｌ．。ＳｒｘＦｅ０３的催化活性 時(shí)，發(fā)現(xiàn)納米晶體中無(wú)序分布的Ｆｅ４＋的增加導(dǎo)致催化活性增加，現(xiàn)在國(guó)際 上已經(jīng)把納米粒子催化劑作為第四代催化劑ｐ０】。
１．１．４納米晶體材料的制備
自１９８４年Ｈ．Ｇｌｅｉｔｅｄ”１采用惰性氣體冷凝法制備出納米金屬粉末以來(lái)， 已經(jīng)發(fā)展出許多的技術(shù)用來(lái)制備納米材料，其中包括機(jī)械合金化法、劇烈 塑性變形法、非晶晶化法、溶膠一凝膠法、快速凝固法等。下面對(duì)其中幾 ６ 第一章緒論 種主要的制備方法作以簡(jiǎn)要的介紹。 １．１．４．１惰性氣體冷凝一原位冷壓成型法 惰性氣體冷凝一原位冷壓成型法是早期制各納米材料的重要方法之 一，它是由西德的Ｈ．Ｇｌｅｉｔｅｒ等人于２０世紀(jì)８０年代*先提出的，其試驗(yàn)裝 置如圖１—２所示１３２】。
圖1-２惰性氣體冷凝法制備納米晶體材料的實(shí)驗(yàn)裝置示意圖
此裝置由三部分組成：（一）納米粉體獲得部分（二）納米粉體收集部 分（三）納米粉體壓制成型部分。這種方法的基本原理為：在高真空中充 滿惰性氣體，將原材料蒸發(fā)，蒸發(fā)后的金屬原子與惰性氣體的碰撞中失去 動(dòng)能而凝聚成超細(xì)晶粒，超細(xì)晶粒在惰性氣體對(duì)流的作用下冷卻凝聚在充 滿液氮的“冷指”上，然后排出氣體恢復(fù)高真空（＜１０。６Ｃａ），用聚四副乙烯刮 刀從冷指上刮下納米細(xì)晶，經(jīng)漏斗落入低壓壓實(shí)裝置輕度壓實(shí)，然后用機(jī) 械手送入壓力為１～５ＧＰａ、溫度為３００Ｋ～５００Ｋ的高壓原位加壓裝置壓制 稱塊，其中壓實(shí)過(guò)程中加入退火、燒結(jié)等處理。 此方法的局限性在于產(chǎn)量低、工藝復(fù)雜、效率低，因此很難滿足性能的 研究和實(shí)際應(yīng)用，另外此方法制各出的納米晶體材料存在大量微孔隙，對(duì) 納米晶體材料的結(jié)構(gòu)和性能十分不利
１．１．４．２強(qiáng)烈塑性變形法
近幾年來(lái)，應(yīng)用強(qiáng)烈塑性變形法制備納米材料已經(jīng)引起材料科學(xué)界的廣‘ 泛興趣。這主要因?yàn)樗粌H可以制備出具有與其它方法制備出的納米材料 性能不同的納米材料，而且還可以克服粉術(shù)壓制成塊過(guò)程中遇到的難題。 強(qiáng)烈塑性變形法是通過(guò)強(qiáng)烈的塑性變形使材料產(chǎn)生大量的缺陷，如位 錯(cuò)、孿晶等，當(dāng)位錯(cuò)增殖到一定程度就會(huì)產(chǎn)生運(yùn)動(dòng)、湮滅、重排等一系列 運(yùn)動(dòng)，晶粒不斷的細(xì)化而達(dá)到納米尺寸。下面介紹一下兩種常用的方法壓 力扭轉(zhuǎn)（ＨＴＰＴ）和等通道角擠壓法（ＥＣＡＰ），如圖１～３所示。
圖１～３ ＳＰＤ法原理示意圖：
（ａ）壓力扭轉(zhuǎn)法，（ｂ）等通道角擠壓法
壓力扭轉(zhuǎn)法是對(duì)置于砧槽中的原始試樣施加幾個(gè)ＧＰａ的壓力，相對(duì)轉(zhuǎn) 動(dòng)上下兩砧使試樣發(fā)生剪切變形而形成納米晶體材料。等通道角擠壓法是 對(duì)原始試樣施加一定壓力，使其在一定的角度Ｉｐ的通道中通過(guò)而發(fā)生剪切 變形，然后旋轉(zhuǎn)９００重復(fù)壓入管道以使變形在不同的滑移面、滑移方向上發(fā) 生多次變形后可形成具有高角晶界的納米晶體材料。 較近研究的應(yīng)用ＳＰＤ法可以成功的制備出純金屬（Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｔｉ等）、 合金（Ｍｇ基和金、ｃｕ基和金）以及金屬間化合物。這種方法制備的納米 晶體材料不僅晶粒極細(xì)，而且晶界高度集中引起的結(jié)構(gòu)缺陷可以導(dǎo)致晶格 畸變和膨脹，這些特點(diǎn)可以成為研究納米晶體材料變形行為和優(yōu)異性能的理論基礎(chǔ)
１．４．３機(jī)械研磨法
機(jī)械研磨法主要是利用球磨機(jī)的高速轉(zhuǎn)動(dòng)或振動(dòng)使球體對(duì)原材料進(jìn)行 強(qiáng)烈的撞擊、研磨和攪拌，在球體一粉體一球體以及球體．粉體．罐壁的反復(fù)碰 撞中，使原材料發(fā)生塑性變形、加工硬化、破碎，然后又被反復(fù)的冷焊．破碎． 冷焊，較后把材料粉碎成納米晶粒。原理如圖１—４所示，目前利用機(jī)械研磨法 可以制備出過(guò)飽和的固溶體、準(zhǔn)晶合金、納米晶體以及金屬間化合物。 這種方法的主要優(yōu)點(diǎn)是毆備投資少，操作簡(jiǎn)單，可研磨多種材料并進(jìn)行大 批量生產(chǎn)等。但是由于磨球主要應(yīng)用不銹鋼、剛玉以及碳化鎢等硬質(zhì)合金， 因此在研磨過(guò)程中不可避免的受到球磨介質(zhì)（球與球罐）和氣氛（０２、Ｎ２、 Ｈ２０雜質(zhì)）的污染，另外，在把納米粉末壓制成塊的過(guò)程中如何控制晶粒長(zhǎng)大 使之保持納米結(jié)構(gòu)也是一個(gè)不好解決的問(wèn)題
圖Ｉ－４球磨過(guò)程中球一粉一球之間的碰撞關(guān)系示意圖
１．１．４．４非晶晶化法
非晶態(tài)材料在熱力學(xué)上處于不穩(wěn)定狀態(tài)，若給予其以合適的溫度、時(shí)問(wèn) 和加速度等條件，通過(guò)控制晶體在非晶固體內(nèi)的形核和長(zhǎng)大而使材料部分 和完全轉(zhuǎn)變成為具有納米尺寸晶粒的多晶材料，這就是非晶晶化法１４“。到 目前為止，已經(jīng)利用這種方法從Ｆｅ．，Ｎｉ．，Ｃｏ一基合會(huì)及Ｓｊ、ｓｅ等元素中制備出了納米晶體材料。 利用非晶晶化法可獲得成分相同的、品粒尺寸４ｉ同的納米晶體材料，此 方法制各過(guò)程簡(jiǎn)單，獲得的納米材料不含孔隙，界面清潔且不受外界污染， 可以為研究納米晶體材料的形成、微觀組織及性能提供可靠的材料。但是 這種方法過(guò)度依賴于非晶固體的形成能力，僅適合于那些在化學(xué)成分上可 形成非晶結(jié)構(gòu)的材料。 除了以上介紹的四種方法以外還有氣相沉積法（ＰＶＤ、ＣＶＤ）ｉ４４，４５１，凝 膠一溶膠法１４６１、電子沉積法‘４７１、無(wú)機(jī)一有機(jī)復(fù)合法１４即等多種制備納米材料 的方法，在此不‘一詳加介紹。
１．１．５納米晶體材料的應(yīng)用
在化工生產(chǎn)中利用納米材料極好的化學(xué)活性制各高效催化劑，例如，在 火箭發(fā)射的固體材料中加入１％的納米*Ａｌ或Ｎｉ，其產(chǎn)生的熱量大大增加。 在醫(yī)學(xué)領(lǐng)域，用納米*材料制備的藥物更有利于人體的吸收，從而提高療 效。在電子工業(yè)領(lǐng)域，納米材料對(duì)光具有強(qiáng)烈的吸收作用，利用納米材料 制成的各種防雷達(dá)的各種隱身材料，在國(guó)防中已被應(yīng)用。同時(shí)納米材料在 環(huán)保、生物、冶金等方面也具有十分重要的應(yīng)用。
１．２表面納米化
表面納米化是著名納米材料專家、中科院金屬研究所所長(zhǎng)盧柯教授等 較近幾年提出的新概念１４９，５０ｌ，即利用各種物理、化學(xué)的方法在材料表面制 備出納米晶粒結(jié)構(gòu)的表層，從而提高表面的機(jī)械性能，如疲勞強(qiáng)度、抗腐 蝕性及耐磨性等。表面納米化已經(jīng)引起了國(guó)際同行的廣泛關(guān)注，并在第五 界國(guó)際材料大會(huì)（１９９９年）上被列為今后幾年內(nèi)納米材料領(lǐng)域較有實(shí)際應(yīng) 用前景的技術(shù)之一。 １０ １．２．１表面納米化的基本原理和制備方法 在塊狀粗晶材料表面獲得納米結(jié)構(gòu)有三種基本形式：表而涂層或沉積、 表面自身納米化和混合方式，如圖１—５所示。
（ａ）表面涂層或沉積（ｂ）表面自身納米化（ｃ）混合方式
圖1-５表面納米化的３種基本方式
（一）表面涂層或沉積這種方法的基本原理：*先制備出具有納米尺度 的顳粒，再將顆粒固結(jié)在材料的表面，在材料表面形成一個(gè)與基體化學(xué)成 分相同或不同的納米結(jié)構(gòu)表層。這種材料的主要特征是：納米結(jié)構(gòu)表層的 品粒均勻，但表層與基體之間存在著明顯的界面，材料的尺寸與處理前有 所增加，示意圖見圖１．５（ａ）。 常規(guī)的表層涂層和沉淀技術(shù)都可以用于開發(fā)表層納米結(jié)構(gòu)的材料，如 ＣＶＤ、ＰＶＤ、濺射、電鍍、以及電解沉積等。整個(gè)工藝過(guò)程的關(guān)鍵是實(shí)現(xiàn) 表層與基體之間以及表面納米顆粒之間的牢固結(jié)合，并保證表層不發(fā)生晶 粒長(zhǎng)大。目前這些技術(shù)已經(jīng)比較成熟。
（二）表面自身納米化對(duì)于多晶材料采用非平衡處理方法增加材料的 表面的自由能，使粗晶組織逐步細(xì)化至納米*，但材料整體的化學(xué)成分與 相組成仍保持不變。這種材料的主要特征是：晶粒尺寸沿厚度方向逐漸增大，納米結(jié)構(gòu)表層與基體之間不存在界面，與處理前相比，材料的外行尺 寸基本不變，圖１—５（ｂ）。 采用非平衡處理方法實(shí)現(xiàn)表面納米化主要采用兩種方法：表面機(jī)械加 工處理法和非平衡熱力學(xué)法，不同方法所采用的工藝技術(shù)和由其所導(dǎo)致的 微觀機(jī)理存在較大的差異。 （１）表面機(jī)械加工處理法原理為： 在外加載荷的重復(fù)作用下，材料表面的粗晶組織通過(guò)不同方向的強(qiáng)烈 塑性變形而逐漸細(xì)化至納米量*。這種方法的設(shè)備簡(jiǎn)圖見圖１．６。


圖1-６表面機(jī)械加工處理法設(shè)備簡(jiǎn)圖 在一個(gè)ｕ形容器中放置大量的球形彈丸，容器的上部固定樣品，下部 與振動(dòng)發(fā)生裝置相連，工作時(shí)彈丸在容器內(nèi)部作高速振動(dòng)運(yùn)動(dòng)，并以隨機(jī) 的方向與樣品發(fā)生碰撞。對(duì)單次碰撞來(lái)說(shuō)，材料表面晶粒某些達(dá)到Ｉ臨界分 切應(yīng)力的滑移系可以開動(dòng)、產(chǎn)生位錯(cuò)，如果彈丸的后序碰撞方向發(fā)生變化就會(huì)促使晶粒其它的滑移系丌動(dòng)（見圖１—７，ｌ一８）。多滑移系的開動(dòng)有助于位 錯(cuò)的增殖、運(yùn)動(dòng)并加快納米化的進(jìn)程，材料表面的粗晶組織通過(guò)不同方向 產(chǎn)生的強(qiáng)烈塑性變形而逐漸細(xì)化至納米量*。 這種由表面機(jī)械加工處理導(dǎo)致的表面自身納米化的過(guò)程包括：材料表 面通過(guò)局部強(qiáng)烈塑性變形而產(chǎn)生大量的缺陷，如位錯(cuò)、孿晶、層錯(cuò)和剪切 帶；當(dāng)位錯(cuò)密度增至一定程度時(shí)，發(fā)生湮沒(méi)、重組，形成具有啞微米或納 米尺度的亞晶，另外髓著溫度的升高，表面具有高形變儲(chǔ)能的組織也會(huì)發(fā)生再結(jié)晶，形成納米晶；此過(guò)程不斷發(fā)展，較終形成晶體學(xué)取向呈隨機(jī)分布的納米晶組織。

總體來(lái)說(shuō)，能夠使材料表面產(chǎn)生局部往復(fù)強(qiáng)烈塑性變形的表面處理技術(shù)都具有實(shí)現(xiàn)表面納米化的可能，其中比較成功的方法包括：超聲噴丸、高能噴丸、表面機(jī)械加工技術(shù)和一些常規(guī)技術(shù)如普通噴丸、沖擊和機(jī)械研磨等，利用這些技術(shù)已分別在純鐵、低碳鋼和不銹鋼等常規(guī)金屬材料 上制備出納米結(jié)構(gòu)表層。